企业简介
![深圳市稳先微电子有限公司](http://img.czvv.com/logo/54354f53e4b06b7f50e4b593/54354f53e4b06b7f50e4b593.png)
深圳市稳先微电子有限公司的工商信息
- 440301104643614
- 91440300723000725X
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2000年05月24日
- 张剑威
- 1827.777800
- 2000年05月24日 至 2030年05月24日
- 市市场和质量监管委福田局
- 2017年01月22日
- 深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室
- 集成电路、电子元器件、电子产品、计算机软硬件的研发、设计和销售;以及其它国内商业、物资供销业(不含专营、专控、专卖商品);经营进出口业务(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)。^集成电路、电子元器件、电子产品、计算机软硬件的生产。
深圳市稳先微电子有限公司的域名
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 深圳市稳先微电子有限公司 | http://www.winsemi.com |
深圳市稳先微电子有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 17005009 | ![]() |
WIN-THD | 2015-05-21 | 芯片(集成电路);集成电路用晶片;晶体管(电子);照明设备用镇流器;半导体;半导体器件;电子芯片;电子管;集成电路;电池充电器 | 查看详情 |
2 | 17004796 | ![]() |
NO-CAP | 2015-05-21 | 晶体管(电子);照明设备用镇流器;电子管;半导体器件;集成电路用晶片;电子芯片;集成电路;半导体;芯片(集成电路);电池充电器 | 查看详情 |
3 | 17006055 | ![]() |
SUPER-THD | 2015-05-21 | 集成电路;半导体;芯片(集成电路);电子管;集成电路用晶片;晶体管(电子);照明设备用镇流器;半导体器件;电子芯片;电池充电器 | 查看详情 |
深圳市稳先微电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN104917411B | 一种单级高PFC的AC-DC控制芯片及开关电源电路 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种单级高PFC的AC‑DC控制芯片及开关电源电路,所述单级高PFC的AC‑DC控制芯片 |
2 | CN205566746U | 可消除电流纹波的控制电路、控制芯片及LED发光装置 | 2016.09.07 | 本实用新型公开了一种可消除电流纹波的控制电路、控制芯片及LED发光装置。控制电路包括内部供电模块和控 |
3 | CN105848347A | 可消除电流纹波的控制电路、控制芯片及LED发光装置 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种可消除电流纹波的控制电路、控制芯片及LED发光装置。控制电路包括内部供电模块和控制模 |
4 | CN105611684A | 一种利用电源开关实现调光的电路和灯具 | 2016.05.25 | 本发明公开了一种利用电源开关实现调光的电路和灯具,包括供电模块、电源转换模块、输入电压检测模块、放电 |
5 | CN104780682B | 一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块,过压保护电路与过压调节电阻连接,过压保护电路包括参 |
6 | CN104703357B | 一种原边反馈LED驱动电路 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种原边反馈LED驱动电路,包括交流电输入端、整流稳压模块、缓冲吸收模块、变压器、转换器 |
7 | CN205124073U | 一种利用电源开关实现调光的电路和灯具 | 2016.03.30 | 本实用新型公开了一种利用电源开关实现调光的电路和灯具,包括供电模块、电源转换模块、输入电压检测模块、 |
8 | CN104837245B | 一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路,其中,LED驱动芯片包括低压MOS管、高压 |
9 | CN205070779U | 功率管控制系统和用于驱动外置功率管的驱动电路 | 2016.03.02 | 本实用新型公开了功率管控制系统和用于驱动外置功率管的驱动电路,当外部PWM控制信号为高电平时,斜率拐 |
10 | CN205070828U | 一种AC-DC单级控制芯片及其控制系统 | 2016.03.02 | 本实用新型公开了一种AC-DC单级控制芯片及其控制系统,降低了自供电高压结型场效应管的功耗,改进了现 |
11 | CN105338693A | 一种驱动芯片及单级高功率因素LED驱动装置 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种驱动芯片及单级高功率因素LED驱动装置,驱动芯片包括频率控制模块和供电模块,频率控制 |
12 | CN205029927U | 一种驱动芯片及单级高功率因素LED驱动装置 | 2016.02.10 | 本实用新型公开了一种驱动芯片及单级高功率因素LED驱动装置,驱动芯片包括频率控制模块和供电模块,频率 |
13 | CN105245120A | 一种AC-DC单级控制芯片及其控制系统 | 2016.01.13 | 本发明公开了一种AC-DC单级控制芯片及其控制系统,降低了自供电高压结型场效应管的功耗,改进了现有单 |
14 | CN204858960U | 功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路 | 2015.12.09 | 本实用新型公开了功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路,当外部PWM控制信号为高电平时,比 |
15 | CN105048790A | 功率管控制系统和用于驱动外置功率管的驱动电路 | 2015.11.11 | 本发明公开了功率管控制系统和用于驱动外置功率管的驱动电路,当外部PWM控制信号为高电平时,斜率拐点检 |
16 | CN105048791A | 功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路 | 2015.11.11 | 本发明公开了功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路,当外部PWM控制信号为高电平时,比较单 |
17 | CN204761320U | 一种单级高PFC的AC-DC控制芯片及开关电源电路 | 2015.11.11 | 本实用新型公开了一种单级高PFC的AC-DC控制芯片及开关电源电路,所述单级高PFC的AC-DC控制 |
18 | CN105006966A | 一种开关电源控制芯片及反激式AC-DC转换器 | 2015.10.28 | 本发明公开了一种开关电源控制芯片及反激式AC-DC转换器,所述开关电源控制芯片包括采样单元、斜坡补偿 |
19 | CN104917411A | 一种单级高PFC的AC-DC控制芯片及开关电源电路 | 2015.09.16 | 本发明公开了一种单级高PFC的AC-DC控制芯片及开关电源电路,所述单级高PFC的AC-DC控制芯片 |
20 | CN102761274B | 原边反馈AC-DC开关电源的阀值抖频控制系统和方法 | 2015.08.19 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的阀值抖频控制系统和方法,阀值抖频控制系统通过设置一与逐周 |
21 | CN102761275B | 一种原边反馈AC-DC开关电源的抖频控制系统 | 2015.08.19 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的抖频控制系统,包括控制芯片、变压器、NMOS管;控制芯片 |
22 | CN204559970U | 一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路,其中,LED驱动芯片包括低压MOS管、 |
23 | CN204559393U | 一种开关电源控制芯片及反激式AC-DC转换器 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种开关电源控制芯片及反激式AC-DC转换器,所述开关电源控制芯片包括采样单元、斜坡 |
24 | CN204559960U | 一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块,过压保护电路与过压调节电阻连接,过压保护电路包 |
25 | CN104837245A | 一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路 | 2015.08.12 | 本发明公开了一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路,其中,LED驱动芯片包括低压MOS管、高压 |
26 | CN104796016A | 一种高压功率管及电源模块 | 2015.07.22 | 本发明公开了一种高压功率管及电源模块,高压功率管包括增强型MOS管、耗尽型MOS管和二极管,所述增强 |
27 | CN204482091U | 一种原边反馈LED驱动电路 | 2015.07.15 | 本实用新型公开了一种原边反馈LED驱动电路,包括交流电输入端、整流稳压模块、缓冲吸收模块、变压器、转 |
28 | CN204481708U | 一种高压功率管及电源模块 | 2015.07.15 | 本实用新型公开了一种高压功率管及电源模块,高压功率管包括增强型MOS管、耗尽型MOS管和二极管,所述 |
29 | CN204482092U | 一种智能同步整流的非隔离降压型LED驱动电路 | 2015.07.15 | 本实用新型公开了一种智能同步整流的非隔离降压型LED驱动电路,包括交流电输入端、整流滤波模块、用于为 |
30 | CN104780682A | 一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种过压保护电路、驱动芯片及电源模块,过压保护电路与过压调节电阻连接,过压保护电路包括参 |
31 | CN104703357A | 一种原边反馈LED驱动电路 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种原边反馈LED驱动电路,包括交流电输入端、整流稳压模块、缓冲吸收模块、变压器、转换器 |
32 | CN104703356A | 一种智能同步整流的非隔离降压型LED驱动电路 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种智能同步整流的非隔离降压型LED驱动电路,包括交流电输入端、整流滤波模块、PWM控制 |
33 | CN102280484B | 一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件及其制造方法 | 2015.06.03 | 本发明公开了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件,包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏 |
34 | CN102761273B | 一种原边反馈AC-DC开关电源的空载控制系统 | 2015.05.20 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的空载控制系统,包括控制芯片、变压器、NMOS管,控制芯片 |
35 | CN104601015A | 反激式AC-DC转换器 | 2015.05.06 | 本发明公开了一种反激式AC-DC转换器,其在AC-DC控制芯片中加入了线电压侦测与补偿模块,该线电压 |
36 | CN104602390A | 双绕组单级原边反馈的LED灯驱动电路 | 2015.05.06 | 本发明提供一种双绕组单级原边反馈的LED灯驱动电路,其采用源极驱动技术的LED驱动芯片,并通过外部第 |
37 | CN203660911U | 反激式AC-DC转换器 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种反激式AC-DC转换器,其在AC-DC控制芯片中加入了线电压侦测与补偿模块,该线 |
38 | CN203661377U | 双绕组单级原边反馈的LED灯驱动电路 | 2014.06.18 | 本实用新型提供一种双绕组单级原边反馈的LED灯驱动电路,其采用源极驱动技术的LED驱动芯片,并通过外 |
39 | CN203071078U | 一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件 | 2013.07.17 | 一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件,包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层; |
40 | CN102280483B | 一种栅源侧台保护的功率器件及其制造方法 | 2013.07.10 | 一种栅源侧台保护的功率器件及其制造方法,包括金属底层、硅片、栅氧层、多晶硅层、热氧化层、热氧化侧台, |
41 | CN102254801B | 一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法 | 2013.06.19 | 一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法,通过对硅片进行氧化,涂覆过程中在硼乳胶源中加入光刻胶,在 |
42 | CN102254943B | 一种栅源侧台保护的晶体管功率器件及其制造方法 | 2013.06.19 | 本发明公开了一种栅源侧台保护的晶体管功率器件,包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和 |
43 | CN102254940B | 一种低电容的晶体管功率器件及其制造方法 | 2013.01.30 | 本发明公开了一种低电容的晶体管功率器件,包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、栅电极、源电极和漏 |
44 | CN102761274A | 原边反馈AC-DC开关电源的阀值抖频控制系统和方法 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的阀值抖频控制系统和方法,阀值抖频控制系统通过设置一与逐周 |
45 | CN102761275A | 一种原边反馈AC-DC开关电源的抖频控制系统 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的抖频控制系统,包括控制芯片、变压器、NMOS管;控制芯片 |
46 | CN102761273A | 一种原边反馈AC-DC开关电源的空载控制系统 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的空载控制系统,包括控制芯片、变压器、NMOS管,控制芯片 |
47 | CN202384341U | 一种可精确控制硼掺杂区的半导体器件 | 2012.08.15 | 一种可精确控制硼掺杂区的半导体器件,包括掺硼乳胶、光刻胶、硅片,其中硅片上设有无须扩散掺硼乳胶的区域 |
48 | CN202259306U | 一种低栅电容TGBT功率器件 | 2012.05.30 | 一种低栅电容TGBT功率器件,包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层,所述将硅片进 |
49 | CN202178259U | 一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件 | 2012.03.28 | 一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件,包括VDMOS主芯片、N+衬底层、硅片、栅氧化层、多 |
50 | CN202159670U | 一种低栅电容VDMOS功率器件 | 2012.03.07 | 一种低栅电容VDMOS功率器件包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层,将硅片进行热 |
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